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针对特定图形旁波效应的OPC方法及通孔层OPC处理方法

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摘要

本发明公开了一种针对特定图形旁波效应的OPC方法，包括：步骤S1，设定OPC模型的曝光阈值，输入目标图形，利用OPC模型模拟所述目标图形曝光后的光强分布，选择光强满足设定光强条件的长方形图形作为选定图形并输出；步骤S2，以所述选定图形中两条长边之间的距离满足设定距离条件的两条长边作为图形边；步骤S3，以所述图形边为目标图形边，在所述选定图形中生成散射条，所述散射条与所述图形边平行；步骤S4，以所述目标图形为目标、所述散射条为辅助图形，进行基于模型的OPC修正，得到最终的OPC图形。本发明还公开通孔层OPC处理方法。本发明通过添加辅助图形(散射条)改变光强分布，从而确保最终的曝光结果既能达到目标尺寸，又能避免产生额外曝光图形。

著录项

  • 公开/公告号CN112612181B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022.09.20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华虹半导体(无锡)有限公司;

    申请/专利号CN202011422048.3

  • 发明设计人 江志兴;

    申请日2020.12.08

  • 分类号G03F7/20;G06F30/392;G06F30/398;G06F115/06;

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人栾美洁

  • 地址 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

  • 入库时间 2022-09-26 23:21:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-20

    授权

    发明专利权授予

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