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一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶

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本发明提供了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤:将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。本发明采用易挥发高纯有机物在制备碳化硅粉料过程中将原料表面以及晶界处的氮带走，进而降低产品中氮含量。实验结果表明：碳化硅粉料和单晶的氮含量均小于5×1016/cm3。

著录项

公开/公告号CN113371712B

专利类型发明专利
公开/公告日2022.11.08

原文格式PDF
申请/专利权人北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;
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申请/专利号CN202110849202.3
发明设计人娄艳芳;刘春俊;杨帆;姜克勇;邹宇;赵宁;王波;彭同华;杨建;
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申请日2021.07.27
分类号C01B32/984;C30B29/36;C30B23/00;
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人王欢
地址 102600 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室
入库时间 2022-11-28 17:56:32

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2022-11-08

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