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交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置

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摘要

本发明的交换耦合膜(10)，层叠有反铁磁性层(2)和固定磁性层(3)和自由磁性层(5)，反铁磁性层(2)由PtCr层(2A)与XMn层(2B)(其中，X为Pt或Ir)构成，XMn层(2B)与固定磁性层(3)接触，在上述XMn层(2B)层叠于PtCr层(2A)的情况下，PtCr层(2A)为PtαCr100at％－α(α为44at％以上58at％以下)，在XMn层(2B)层叠于固定磁性层(3)的情况下，PtCr层(2A)为PtαCr100at％－α(α为44at％以上57at％以下)，因此固定磁性层(3)的磁化的方向反转的磁场(Hex)较大，高温条件下的稳定性较高。

著录项

公开/公告号CN109716548B

专利类型发明专利
公开/公告日2022.12.06

原文格式PDF
申请/专利权人阿尔卑斯阿尔派株式会社;
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申请/专利号CN201780048184.0
发明设计人齐藤正路;小池文人;远藤广明;
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申请日2017.08.02
分类号H01L43/08;G01R33/09;H01F10/12;H01L43/10;H01L43/12;
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人刘英华
地址日本东京都
入库时间 2022-12-29 02:03:55

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