退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN112962056B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.12.27
原文格式PDF
申请/专利权人 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司;
申请/专利号CN202110141766.1
发明设计人 谢飞;宋裕斌;吴建鹏;杨博文;尚钰东;李荣辉;刘远洋;刘番;田昊;楚志伟;
申请日2021.02.02
分类号C23C14/04;C23C14/24;
代理机构北京正理专利代理有限公司;
代理人李远思
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
入库时间 2023-01-09 21:32:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-27
授权
发明专利权授予
机译: 模板掩膜,模板掩膜的制造方法以及模板掩膜的使用方法
机译: 掩膜,模板掩膜,制造掩膜的方法以及掩盖掩膜的方法
机译:通过模板掩膜的组合化学束气相沉积制备复杂的氧化物微结构
机译:使用模板掩膜法在电致伸缩聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物薄膜上制备应变可调红外频率选择表面
机译:在感官不同的深度平面中,测试和掩膜组件之间没有掩膜
机译:基于空间光调制器的相位掩膜方法全息制造光子晶体模板
机译:利用实验室制造的相位掩膜对3D彭罗斯类准光子晶体聚合物模板进行光刻制造。
机译:具有相关信封的掩膜组件的掩膜释放
机译:使用先进的相位掩膜技术对三维光子晶体模板进行激光全息制作
机译:概念模型构建模板:模板的模型组件和应用。