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SON结构及其制备方法

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本发明提供一种SON结构及其制备方法，制备方法包括：提供第一半导体衬底；在第一半导体衬底中制备牺牲柱；外延第二半导体衬底且牺牲柱在外延过程中去除形成空腔结构。本发明在第一半导体衬底中预制牺牲柱结构，基于外延过程中牺牲柱的变化形成悬空的上层第二半导体衬底，在牺牲柱的位置对应形成空腔结构，制备得到SON结构，本发明不需要键合工艺即可形成硅悬浮结构，外延层晶向与衬底晶向相同，悬浮层的厚度可以精确控制，并且外延过程中可以精确控制掺杂浓度调整悬浮膜层的电阻率。

著录项

公开/公告号CN112701079B

专利类型发明专利
公开/公告日2023.02.21

原文格式PDF
申请/专利权人上海烨映微电子科技股份有限公司;
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申请/专利号CN202011592417.3
发明设计人张洋;徐德辉;荆二荣;
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申请日2020.12.29
分类号H01L21/762;H01L27/12;
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人佟婷婷
地址 201800 上海市嘉定区菊园新区胜竹路1399号2幢2层236室
入库时间 2023-03-15 00:58:11

法律信息

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2023-02-21

授权

发明专利权授予

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