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ALLIAGE DE CUIVRE POUR DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE/ÉLECTRIQUE, MATÉRIAU EN ALLIAGE DE CUIVRE TRAVAILLÉ PLASTIQUEMENT POUR DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE/ÉLECTRIQUE, COMPOSANT POUR DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE/ÉLECTRIQUE, BORNE ET BARRE OMNIBUS
ALLIAGE DE CUIVRE POUR DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE/ÉLECTRIQUE, MATÉRIAU EN ALLIAGE DE CUIVRE TRAVAILLÉ PLASTIQUEMENT POUR DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE/ÉLECTRIQUE, COMPOSANT POUR DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE/ÉLECTRIQUE, BORNE ET BARRE OMNIBUS
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A copper alloy for and electric and an electronic device is provided. The copper alloy includes: Mg in a range of 0.15 mass% or more and less than 0.35 mass%; P in a range of 0.0005 mass% or more and less than 0.01 mass%; and a Cu balance including inevitable impurities. In the copper alloy, a Mg content [Mg] and a P content [P], both of which are in a mass ratio, satisfy a relationship expressed by [Mg]+20×[P]<0.5, and an electrical conductivity of the copper alloy is more than 75%IACS.
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