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COMPOSITIONS DE POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE SÉLECTIVES VIS-À-VIS DE L'OXYDE ET DU NITRURE, À SÉLECTIVITÉ AMÉLIORÉE VIS-À-VIS DES MOTIFS ET À PHÉNOMÈNE DE « DISHING » (FORMATION DE ZONES DE CREUX) RÉDUIT
COMPOSITIONS DE POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE SÉLECTIVES VIS-À-VIS DE L'OXYDE ET DU NITRURE, À SÉLECTIVITÉ AMÉLIORÉE VIS-À-VIS DES MOTIFS ET À PHÉNOMÈNE DE « DISHING » (FORMATION DE ZONES DE CREUX) RÉDUIT
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wherein X1 and X2, Z1 and Z2, R1, R2, R3, and R4, and n are as defined herein, and water, wherein the polishing composition has a pH of about 1 to about 4.5. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the inventive chemical-mechanical polishing composition. Typically, the substrate contains silicon oxide, silicon nitride, and/or polysilicon.
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