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METHOD FOR ETCHING A BLOCK COPOLYMER COMPRISING A SELECTIVE DEPOSITION STEP

机译：提取包含选择性沉积步骤的嵌段共聚物的方法

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The invention relates to a method for etching a layer (20) of assembled block copolymer comprising first and second polymer phases (20A, 20B). This etching process comprises: - a step (S21) of selective deposition carried out by means of a first plasma so as to deposit a protective material (23) on the first polymer phase (20A) while leaving the second polymer phase intact (20B); and - a step of etching the second polymer phase (20B) selectively with respect to the protective material (23) by means of a second plasma.

机译：本发明涉及一种用于蚀刻包含第一和第二聚合物相（20A，20B）的组装的嵌段共聚物的层（20）的方法。该蚀刻工艺包括：-借助于第一等离子体进行的选择性沉积步骤（S21），以在第一聚合物相（20A）上沉积保护材料（23），同时保持第二聚合物相（20B）完整。 ; -通过第二等离子体相对于保护材料（23）选择性地蚀刻第二聚合物相（20B）的步骤。

著录项

公开/公告号FR3085389A1

专利类型
公开/公告日2020-03-06

原文格式PDF
申请/专利权人 COMMISSARIAT A LENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES;CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS;UNIVERSITE GRENOBLE ALPES;ARKEMA FRANCE;
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申请/专利号FR1857891
发明设计人 MARC ZELSMANN;PHILIPPE BEZARD;XAVIER CHEVALIER;GEOFFREY LOMBARD;
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申请日2018-09-03
分类号C23C16/513;B05D1/32;C09D153;G03F7/16;
国家 FR
入库时间 2022-08-21 11:00:31

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