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OPTOELECTRONIC DEVICE, PHOTONIC DETECTOR AND METHOD OF PRODUCING AN OPTOELECTRONIC DEVICE

机译：光电子器件，光子探测器和生产光电子器件的方法

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An optoelectronic device comprises a first semiconductor layer (1) of a first conductivity having a front side (11) and a backside (12). A second semiconductor layer (2) of a second conductivity is arranged on the front side (11) of the first semiconductor layer (1), and further comprises a first semiconductor region (21) and a second semiconductor region (22) forming a photodiode (23) in the second semiconductor layer (2). A signal path (5) electrically connects the photodiode (23) to a fixed potential.

机译：光电子器件包括具有正面（11）和背面（12）的具有第一导电性的第一半导体层（1）。具有第二导电性的第二半导体层（2）布置在第一半导体层（1）的正面（11）上，并且还包括形成光电二极管的第一半导体区域（21）和第二半导体区域（22）。（23）在第二半导体层（2）中。信号路径（5）将光电二极管（23）电连接到固定电位。

著录项

公开/公告号WO2020207917A1

专利类型
公开/公告日2020-10-15

原文格式PDF
申请/专利权人 AMS INTERNATIONAL AG;
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申请/专利号WO2020EP59557
发明设计人 DENIER URS;FITZI ANDREAS;
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申请日2020-04-03
分类号H01L31/02;H01L27/146;H01L31/105;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 11:09:01

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