首页> 外国专利> Systems and methods for utilizing DDR4-DRAM chips in hybrid DDR5-DIMMs and for cascading DDR5-DIMMs

Systems and methods for utilizing DDR4-DRAM chips in hybrid DDR5-DIMMs and for cascading DDR5-DIMMs

机译:在混合DDR 5 -DIMM中使用DDR 4 -DRAM芯片和级联DDR 5 -DIMM的系统和方法

摘要

A hybrid DDR5 DIMM device includes a PCB board with a host interface through one of two DDR5 sub-channels, and a plurality of DDR4 or slow DDR5 SDRAM chips on the PCB coupled to this single channel DDR5 host interface. An embodiment processing system includes a host CPU to access one or more pairs of hybrid DDR5 DIMM devices for 4×DDR5 memory capacities (4DPC), a first or second hybrid DDR5 DIMM including a plurality of half-speed SDRAM chips, and a first or second DDR5 sub-channel coupled the host with slow SRAM chips on DIMM. Mounting same data-buffer and RCD chips on hybrid DIMM to a server motherboard can double available DDR4 DIMMs' speed to DDR5 speed rate. Pairs of hybrid DDR5 DIMM devices cascaded one-by-one can aggregate more DDR5 DIMM devices to expand memory capacities at double speed of DDR4 or DDR5 SDRAM chips, beyond current DDR5 speed limit 6400 MT/s.
机译:混合DDR5 DIMM器件包括一个PCB板,该PCB板具有通过两个DDR5子通道之一的主机接口,以及与该单通道DDR5主机接口耦合的PCB上的多个DDR4或慢速DDR5 SDRAM芯片。实施例的处理系统包括:主机CPU,用于访问一对或多对对的混合DDR5 DIMM设备,用于4×DDR5存储容量(4DPC);第一或第二混合DDR5 DIMM,包括多个半速SDRAM芯片;以及第一或第二第二个DDR5子通道将主机与DIMM上的慢速SRAM芯片耦合。在混合DIMM上将相同的数据缓冲区和RCD芯片安装到服务器主板上可使DDR4 DIMM的速度提高到DDR5速度的两倍。一对一对一的混合DDR5 DIMM设备可以聚合更多的DDR5 DIMM设备,以DDR4或DDR5 SDRAM芯片的两倍速度扩展存储容量,超过当前DDR5速度限制6400 MT / s。

著录项

  • 公开/公告号US10628343B2

    专利类型

  • 公开/公告日2020-04-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FUTUREWEI TECHNOLOGIES INC.;

    申请/专利号US201715424638

  • 发明设计人 XIAOBING LEE;

    申请日2017-02-03

  • 分类号G06F13/16;G06F11/10;G06F13/40;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:29:42

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号