首页> 外国专利> Power semiconductor switching device damage prediction device and damage prediction method, AC-DC converter, DC-DC converter

Power semiconductor switching device damage prediction device and damage prediction method, AC-DC converter, DC-DC converter

机译:功率半导体开关装置损伤预测装置及损伤预测方法,交流-直流转换器,直流-直流转换器

摘要

A power semiconductor switching element damage judging device, comprising: a resistor connected to a gate of the power semiconductor switching element; A comparison unit that compares a detection voltage corresponding to a voltage generated in the power semiconductor device with a reference voltage, and predicts that predetermined damage has been accumulated in the gate insulating layer of the power semiconductor switching element when the detection voltage exceeds the reference voltage. And a prediction unit that performs the calculation. [Selection diagram] Fig. 4
机译:一种功率半导体开关元件损坏判断装置,包括:电阻器,连接到所述功率半导体开关元件的栅极;比较单元,其将与在功率半导体器件中产生的电压相对应的检测电压与参考电压进行比较,并预测当检测电压超过参考电压时在功率半导体开关元件的栅极绝缘层中已经蓄积了预定的损伤。 。以及执行该计算的预测单元。 [选择图]图4

著录项

  • 公开/公告号JPWO2018168328A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-01-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日本電産株式会社;

    申请/专利号JP20190505797

  • 发明设计人 池田 秀寿;戸川 隆;

    申请日2018-02-16

  • 分类号G01R31/26;H02M7/12;H02M3/155;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 11:31:56

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号