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SOT SOT SOT SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF WRITING DATA TO SOT SEMICONDUCTOR DEVICE

机译:SOT SOT SOT半导体装置和将数据写入SOT半导体装置的方法

摘要

The present invention relates to a SOT semiconductor device and a recording method of the SOT semiconductor device, the SOT semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes an electrode; A cell comprising a free magnetic layer disposed on the electrode, an insulating layer disposed on the free magnetic layer, and a stator magnetic layer disposed on the insulating layer; And a voltage gate configured to apply a voltage between the free magnetic layer and the pinned magnetic layer, wherein the magnetization direction of the free magnetic layer is changed by spin orbit torque generated by an in-plane write current applied on the electrode. Silver tungsten (W).
机译:本发明涉及一种SOT半导体装置及其记录方法,本发明的一个实施方式的SOT半导体装置具有电极。一种电池,其包括设置在所述电极上的自由磁性层,设置在所述自由磁性层上的绝缘层以及设置在所述绝缘层上的定子磁性层。以及被配置为在自由磁性层和被钉扎磁性层之间施加电压的电压门,其中,自由磁性层的磁化方向通过由施加在电极上的面内写入电流产生的自旋轨道转矩而改变。银钨(W)。

著录项

  • 公开/公告号KR102024876B1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20170117642

  • 发明设计人 박병국;백승헌;

    申请日2017-09-14

  • 分类号H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:47:42

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