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SiO2 SiO2 .PRECURSOR FOR SiO2 THIN FILM DEPOSITION METHOD OF SiO2 THIN FILM USING THE SAME

机译:SiO2薄膜沉积方法相同的SiO2薄膜沉积方法。

摘要

The present invention relates to a precursor for SiO_2 thin film formation comprising a bis-amino silane compound expressed by chemical formula 1, and a SiO_2 thin film formation method using the same. Two surface couplers are chemically coupled to the surface of a substrate to reduce steric hindrance with adjacent molecules after coupling to reduce film defects and increase film density. In chemical formula 1, R_1 and R_2 are straight-chain, branched, or annular alkyl groups or alkenyl groups of C_1-C_6; and R_1 and R_2 are equal or different.
机译:本发明涉及用于SiO 2薄膜形成的前体,其包括由化学式1表示的双氨基硅烷化合物,以及使用该前体的SiO 2薄膜形成方法。两个表面偶联剂化学偶联至基材表面,以减少偶联后与相邻分子的空间位阻,从而减少薄膜缺陷并增加薄膜密度。在化学式1中,R_1和R_2是C_1-C_6的直链,支链或环状烷基或烯基; R_1和R_2相同或不同。

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