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MEMORY GATE DRIVER TECHNOLOGY FOR FLASH MEMORY CELLS

机译:闪存存储器的存储器门驱动器技术

摘要

A memory array including a first memory cell including a first memory gate coupled to receive a first signal. The memory array including a second memory cell including a first memory gate coupled to receive a second signal. The magnitude of the second signal is different than the magnitude of the first signal. The memory array including a third memory cell including a first memory gate coupled to receive a third signal. The magnitude of the third signal is different than the magnitude of the first signal and the magnitude of the second signal. The first signal, the second signal and the third signal are received concurrently.
机译:一种存储器阵列,包括第一存储器单元,该第一存储器单元包括耦合以接收第一信号的第一存储器门。该存储器阵列包括第二存储器单元,该第二存储器单元包括耦合以接收第二信号的第一存储器门。第二信号的大小不同于第一信号的大小。该存储器阵列包括第三存储器单元,该第三存储器单元包括被耦合以接收第三信号的第一存储器门。第三信号的大小不同于第一信号的大小和第二信号的大小。同时接收第一信号,第二信号和第三信号。

著录项

  • 公开/公告号WO2019046189A1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-03-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION;

    申请/专利号WO2018US48138

  • 发明设计人 VARKONY RONI;BETSER YORAM;

    申请日2018-08-27

  • 分类号G11C16/12;G11C16/14;H01L27/11563;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 11:56:04

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