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MERGED P-INTRINSIC-N (PIN) SCHOTTKY DIODE

机译:融合的P-INTRINSIC-N(PIN)肖特基二极管

摘要

In a general aspect, a device can include a substrate, a first pillar of a first conductivity type, a second pillar of a second conductivity type, the first pillar and the second pillar being alternately disposed, and a metal layer having a first portion disposed on the first pillar and a second portion disposed on the second pillar. The first portion of the metal layer can be wider than the second portion of the metal layer.
机译:在一般方面,一种装置可以包括基板,第一导电类型的第一柱,第二导电类型的第二柱,第一柱和第二柱交替布置,以及具有布置第一部分的金属层。第一支柱上的第二部分和第二支柱上的第二部分。金属层的第一部分可以比金属层的第二部分宽。

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