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Trench-Gated Heterostructure and Double-Heterostructure Active Devices

机译：沟槽门控异质结构和双异质结构有源器件

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摘要

Heterostructure and double-heterostructure trench-gate devices, in which the substrate and/or the body are constructed of a narrower-bandgap semiconductor material than the uppermost portion of the drift region. Fabrication most preferably uses a process where gate dielectric anneal is performed after all other high-temperature steps have already been done.

机译：异质结构和双重异质结构沟槽栅器件，其中衬底和/或主体由比漂移区的最上部窄的带隙半导体材料构成。最优选地，制造使用在已经完成所有其他高温步骤之后执行栅极电介质退火的工艺。

著录项

公开/公告号US2018366569A1

专利类型
公开/公告日2018-12-20

原文格式PDF
申请/专利权人 MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC.;
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申请/专利号US201816006693
发明设计人 JUN ZENG;MOHAMED N. DARWISH;
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申请日2018-06-12
分类号H01L29/778;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/16;H01L29/165;H01L29/66;H01L21/324;H01L21/02;H01L21/28;H01L29/267;H01L29/739;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:09:30

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