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METHOD OF MANUFACTURING TANTALUM CARBIDE COATING LAYER USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND TANTALUM CARBIDE MANUFACTURED USING THE SAME

机译：化学气相沉积制造碳化钽涂层的方法及使用相同方法制造碳化钽的方法

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摘要

A method of manufacturing a material including tantalum carbide (TaC) with a particularly low impurity content, and a TaC material formed by the method are provided. The method includes preparing a base material, and forming a TaC coating layer on a surface of the base material at a temperature of 1,600° C. to 2,500° C.

机译：提供一种制造包括具有特别低的杂质含量的碳化钽（TaC）的材料的方法，以及通过该方法形成的TaC材料。该方法包括制备基材，并且在1600℃至2500℃的温度下在基材的表面上形成TaC涂层。

著录项

公开/公告号US2019185995A1

专利类型
公开/公告日2019-06-20

原文格式PDF
申请/专利权人 TOKAI CARBON KOREA CO. LTD;
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申请/专利号US201816224284
发明设计人 DONG WAN JO;
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申请日2018-12-18
分类号C23C16/32;C23C16/04;C23C16/44;C23C16/52;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:10:21

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