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Memory control device that control semiconductor memory, memory control method, information device equipped with memory control device, and storage medium storing memory control program

机译:控制半导体存储器的存储器控​​制装置,存储器控制方法,具备该存储器控制装置的信息装置以及存储该存储器控制程序的存储介质

摘要

A memory control device that is capable of making a nonvolatile memory of an information device exhibit the performance thereof certainly. A detection unit detects whether a data writable semiconductor memory is a nonvolatile memory or a volatile memory. A setting unit performs a setting to a volatile memory and performs a different setting to a nonvolatile memory that is detected with the detection unit.
机译:能够使信息设备的非易失性存储器可靠地发挥其性能的存储器控​​制设备。检测单元检测数据可写半导体存储器是非易失性存储器还是易失性存储器。设置单元对易失性存储器执行设置,并且对由检测单元检测到的非易失性存储器执行不同的设置。

著录项

  • 公开/公告号US10268257B2

    专利类型

  • 公开/公告日2019-04-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CANON KABUSHIKI KAISHA;

    申请/专利号US201414494943

  • 发明设计人 YOSHIHISA NOMURA;

    申请日2014-09-24

  • 分类号G06F1/32;G06F11/30;G06F13/16;G06F1/3287;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:14:31

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