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Erasure codes to prevent lower page corruption in flash memory

机译：擦除代码，以防止闪存中的较低页损坏

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Methods and structure for preventing lower page corruption in flash memory. One embodiment is a flash storage device that includes Multi-Level Cell (MLC) flash memory, Single-Level Cell (SLC) flash memory, and a controller coupled to the MLC flash memory and the SLC flash memory. The controller is configured to program host data to a lower page of the MLC flash memory, to generate an erasure code for the host data, and to store the erasure code in the SLC flash memory. The controller is also configured to detect an interrupted write operation to an upper page linked to the lower page, to retrieve the erasure code from the SLC flash memory, and to correct the host data of the lower page of the MLC flash memory using the erasure code.

机译：防止闪存中的较低页面损坏的方法和结构。一个实施例是一种闪存设备，其包括多层单元（MLC）闪存，单层单元（SLC）闪存以及耦合到MLC闪存和SLC闪存的控制器。控制器被配置为将主机数据编程到MLC闪存的较低页，以生成用于主机数据的擦除代码，并将擦除代码存储在SLC闪存中。控制器还被配置为检测对链接到较低页面的较高页面的中断写入操作，以从SLC闪存中检索擦除代码，并使用该擦除来校正MLC闪存的较低页面的主机数据。码。

著录项

公开/公告号US10229000B2

专利类型
公开/公告日2019-03-12

原文格式PDF
申请/专利权人 SEAGATE TECHNOLOGY LLC;
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申请/专利号US201615232058
发明设计人 TIMOTHY CANEPA;STEPHEN HANNA;
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申请日2016-08-09
分类号G06F11/10;H03M13/15;G11C16/22;G11C29/52;G11C11/56;G11C16/14;H03M13/11;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:14:30

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