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半導体ナノ粒子及の製造方及び半導体ナノ粒子

机译:如何制造半导体纳米颗粒和半导体纳米颗粒

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing semiconductor nanoparticles that involves the production of semiconductor nanoparticles with a high hydrophilicity in an aqueous solvent and enable the semiconductor nanoparticles produced by the method to have a favorable luminance.;SOLUTION: A zinc (Zn) ion source and a ligand N-acetyl-L-cysteine (NAC) were added into an ultrapure water. PH adjustment was done taking into account of a following step of adding tellurium (Te) ion source to obtain a precursor solution having a desirable pH (10pH11). ZnTe semiconductor nanoparticles with a favorable luminance were obtained by applying a so-called hydrothermal method including heating the precursor solution at a temperature higher than 120°C under a pressure higher than 1 atm.;SELECTED DRAWING: Figure 1;COPYRIGHT: (C)2019,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种生产半导体纳米颗粒的方法,该方法包括在水性溶剂中制备具有高亲水性的半导体纳米颗粒,并使通过该方法生产的半导体纳米颗粒具有良好的亮度。将离子源和配体N-乙酰基-L-半胱氨酸(NAC)添加到超纯水中。考虑到以下添加碲(Te)离子源以获得具有所需pH值(10 H <11)的前体溶液的步骤,进行了PH调节。通过应用所谓的水热法获得具有良好亮度的ZnTe半导体纳米颗粒,该方法包括在高于1atm的压力下在高于120°C的温度下加热前体溶液;选定的图:图1;版权:(C) 2019年,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2019034873A

    专利类型

  • 公开/公告日2019-03-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PU HAMBAM;

    申请/专利号JP20170169852

  • 发明设计人 夫 恒範;

    申请日2017-08-17

  • 分类号C01B19/04;B82Y20/00;B82Y40/00;C09K11/08;C09K11/88;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 12:20:23

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