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Spin current magnetization reversal type magnetoresistive effect element and method of manufacturing spin current magnetization reversal type magnetoresistive effect element

机译:自旋电流磁化反转型磁阻效应元件以及制造自旋电流磁化反转型磁阻效应元件的方法

摘要

This spin current magnetization reversal type magnetoresistive effect element includes a substrate, a first ferromagnetic metal layer whose magnetization direction is fixed in order from the substrate side, a nonmagnetic layer, and a second ferromagnetic material whose magnetization direction is variable. A magnetoresistive effect element having a metal layer and a cap layer; and a spin orbit torque wiring extending in a direction intersecting with the stacking direction of the magnetoresistive effect element and joining the cap layer, The cap layer mainly includes at least one material having high spin conductivity selected from the group consisting of Cu, Ag, Mg, Al, Si, Ge, and GaAs.
机译:该自旋电流磁化反转型磁阻效应元件包括:基板;磁化方向从基板侧开始依次固定的第一铁磁金属层;非磁性层;以及磁化方向可变的第二铁磁材料。具有金属层和盖层的磁阻效应元件;盖层主要包括选自Cu,Ag,Mg的至少一种具有高自旋电导率的材料,所述自旋轨道扭矩线在与磁阻效应元件的堆叠方向相交的方向上延伸并接合盖层。 ,Al,Si,Ge和GaAs。

著录项

  • 公开/公告号JPWO2017090736A1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-09-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TDK株式会社;

    申请/专利号JP20170552733

  • 发明设计人 佐々木 智生;

    申请日2016-11-25

  • 分类号H01L43/08;H01L21/8239;H01L27/105;H01L29/82;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 13:08:09

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