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Methods for conformal treatment of dielectric films with low thermal budget

机译:低热预算介电膜的保形处理方法

摘要

Embodiments of methods for treating dielectric layers are provided herein. In some embodiments, a method of treating a dielectric layer disposed on a substrate supported in a process chamber includes: (a) exposing the dielectric layer to an active radical species formed in a plasma for a first period of time; (b) heating the dielectric layer to a peak temperature of about 900 degrees Celsius to about 1200 degrees Celsius; and (c) maintaining the peak temperature for a second period of time of about 1 second to about 20 seconds.
机译:本文提供了用于处理介电层的方法的实施方式。在一些实施例中,一种处理设置在处理室中支撑的基板上的电介质层的方法包括:(a)将电介质层暴露于在等离子体中形成的活性自由基种类的第一时间段; (b)将介电层加热至约900摄氏度至约1200摄氏度的峰值温度; (c)将峰值温度保持约1秒至约20秒的第二时间段。

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