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PZT PRECURSOR SOLUTION, METHOD FOR PRODUCING PZT PRECURSOR SOLUTION, METHOD FOR PRODUCING PZT FILM, METHOD FOR PRODUCING ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING LIQUID DISCHARGE HEAD

机译：PZT前体溶液，PZT前体溶液的制造方法，PZT膜的制造方法，机电传感器元件的制造方法以及液体排出头的制造方法

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摘要

A PZT precursor solution is used for forming a PZT film by a sol-gel method. The PZT precursor solution includes a solvent; a component that forms a crystal of PZT by crystallization, the component being dissolved in the solvent; and an element that inhibits crystal growth of PZT, the element being dissolved in the solvent.

机译：使用PZT前体溶液通过溶胶-凝胶法形成PZT膜。 PZT前体溶液包括溶剂;通过结晶形成PZT晶体的组分，该组分溶解在溶剂中;以及抑制PZT晶体生长的元素溶解在溶剂中。

著录项

公开/公告号US2017211202A1

专利类型
公开/公告日2017-07-27

原文格式PDF
申请/专利权人 YOSHIKAZU AKIYAMA;AKIRA SHIMOFUKU;KEIJI UEDA;
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申请/专利号US201615382952
发明设计人 YOSHIKAZU AKIYAMA;AKIRA SHIMOFUKU;KEIJI UEDA;
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申请日2016-12-19
分类号C30B1/02;C23C14/24;C23C14/34;H01L41/318;H01L41/187;H01L41/39;H01L41/113;H01L41/29;C30B29/32;B41J2/16;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:51:25

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