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Pixel detector, Compton camera, proton therapy device, neutron imaging device, X-ray polarimeter and γ-ray polarimeter

机译：像素检测器，康普顿相机，质子治疗仪，中子成像仪，X射线旋光仪和γ射线旋光仪

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摘要

The present invention relates to a pixel detector (10), comprising a semiconductor sensor layer (12), in which charges can be generated upon interaction with particles to be detected. The semiconductor layer defines an X-Y-plane and has a thickness extending in Z-direction. The detector further comprises a read-out electronics layer (14) connected to said semiconductor layer (12), said read-out electronics layer (14) comprising an array of read-out circuits (20) for detecting signals indicative of charges generated in a corresponding volume of said semiconductor sensor layer (12). The neighboring read-out circuits (20) are connected by a relative timing circuit configured to determine time difference information between signals detected at said neighboring read-out circuits (20). The time difference information is indicative of a difference in the Z-components of the locations of charge generations in the corresponding neighboring sensor volumes caused by a particle trajectory that is inclined with respect to the X-Y-plane.

机译：像素检测器（10）技术领域本发明涉及一种像素检测器（10），其包括半导体传感器层（12），其中在与要检测的颗粒相互作用时可以产生电荷。半导体层限定X-Y平面，并且具有在Z方向上延伸的厚度。检测器还包括连接到所述半导体层（12）的读出电子层（14），所述读出电子层（14）包括读出电路（20）的阵列，用于检测指示在半导体层（12）中产生的电荷的信号。所述半导体传感器层（12）的相应体积。相邻的读出电路（20）通过相对定时电路连接，该相对的定时电路被配置为确定在所述相邻的读出电路（20）处检测到的信号之间的时间差信息。时间差信息指示由相对于X-Y平面倾斜的粒子轨迹引起的在相应的相邻传感器体积中的电荷产生的位置的Z分量的差异。

著录项

公开/公告号JP6040248B2

专利类型
公开/公告日2016-12-07

原文格式PDF
申请/专利权人セルン－ヨーロピアンオーガナイゼーションフォーニュークリアリサーチ;フリードリッヒ－アレクサンダー－ユニバーシタッタエルランゲン－ニュルンベルク;チェコ、テクニカル、ユニバーシティー、イン、プラハ、インスティトゥート、オブ、エクスペリメンタル、アンド、アプライド、フィジックス;
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申请/专利号JP20140531107
发明设计人マイケル、キャンベル;ティロ、ミシェル;ヤン、ヤクベク;
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申请日2011-09-21
分类号G01T1/24;G01T1/167;G01T1/161;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 13:53:00

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