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Atomic Layer Deposition (ALD) of TiO2 using (Tetrakis(dimethylamino)titanium) TDMAT as an Encapsulation and/or Barrier Layer for ALD PbS

机译:使用(四(二甲基氨基)钛)TDMAT作为ALD PbS的封装和/或阻挡层的TiO2原子层沉积(ALD)

摘要

A method of encapsulating PbS quantum dots is provided that includes depositing, using atomic layer deposition (ALD), a first layer of TiO2 on a substrate, depositing, using ALD, a first layer of PbS quantum dots on the first layer of TiO2, and depositing, using ALD, an encapsulating layer of the TiO2 on the first layer of TiO2 and the first layer of PbS quantum dots, where the first layer of PbS quantum dots are encapsulated and separated by the first layer of TiO2 and the encapsulating layer of TiO2.
机译:提供了一种封装PbS量子点的方法,该方法包括:使用原子层沉积(ALD)在衬底上沉积第一层TiO 2 ,使用ALD沉积第一层PbS量子点在TiO 2 的第一层上,并使用ALD在TiO 2 的第一层上沉积TiO 2 的封装层,然后PbS量子点的第一层,其中PbS量子点的第一层被TiO 2 的第一层和TiO 2 的封装层封装和分隔。

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