首页> 外国专利> A method for structuring and planarization of a layer sequence

A method for structuring and planarization of a layer sequence

机译:一种层序列的结构化和平面化的方法

摘要

It is a process for the structuring and planarization of a layer sequence, wherein the method comprises the following steps a to d:In one process step a, a first layer with a first main surface is provided, in a subsequent process step b, a structured mask layer to the first major surface of the first layer is applied, wherein the structured mask layer comprises a dielectric material. In a next process step c, a second layer of a side facing away from the first principal face on the structured mask layer as well as on the first layer is applied, wherein the second layer is a metal layer, and the second layer with the first layer forms a better adhesion than with the structured mask layer and in a process step d, the second layer is removed, wherein the second layer of the structured mask layer is detached and the second layer on the first main face of the first layer remains.
机译:这是用于层序列的结构化和平坦化的过程,其中该方法包括以下步骤a至d:在一个过程步骤a中,提供具有第一主表面的第一层,在随后的过程步骤b中,a将结构化的掩模层施加到第一层的第一主表面,其中结构化的掩模层包括介电材料。在下一工艺步骤c中,在结构化掩模层以及第一层上施加背离第一主面的一侧的第二层,其中第二层是金属层,第二层具有金属层。第一层形成比与结构化掩模层更好的粘附力,并且在工艺步骤d中,第二层被去除,其中结构化掩模层的第二层被分离,并且第一层的第一主面上的第二层保留下来。

著录项

  • 公开/公告号DE102013108661A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-02-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;

    申请/专利号DE201310108661

  • 发明设计人 ALEXANDER F. PFEUFFER;

    申请日2013-08-09

  • 分类号H01L21/28;H01L33/00;H01L33/36;H01L33/44;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 14:55:38

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号