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COMPOSITION FOR FORMING p-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING SILICON SUBSTRATE HAVING p-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD FOR PRODUCING PHOTOVOLTAIC CELL , AND PHOTOVOLTAIC CELL

机译：形成p型扩散层的组合物，具有p型扩散层的硅基质的制造方法，光伏电池和光伏电池的制造方法

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摘要

The invention provides a composition for forming a p-type diffusion layer, the composition comprising boron nitride, a dispersion medium and an inorganic binder.

机译：本发明提供了用于形成p型扩散层的组合物，该组合物包含氮化硼，分散介质和无机粘合剂。

著录项

公开/公告号EP2665089A4

专利类型
公开/公告日2015-06-03

原文格式PDF
申请/专利权人 HITACHI CHEMICAL COMPANY LTD.;
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申请/专利号EP20120734324
发明设计人 ORITA AKIHIRO;YOSHIDA MASATO;NOJIRI TAKESHI;MACHII YOICHI;IWAMURO MITSUNORI;KIZAWA KEIKO;ADACHI SHUICHIRO;SATO TETSUYA;
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申请日2012-01-11
分类号H01L21/225;H01L31/18;
国家 EP
入库时间 2022-08-21 15:06:33

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