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PHOTONIC CRYSTAL LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTONIC CRYSTAL LASER

机译:光子晶体激光器及制造光子晶体激光器的方法

摘要

A photonic crystal laser (100) comprises an n-type substrate (111), an n-type clad layer (112), an active layer (113), a p-type clad layer (116), a photonic crystal layer (115), a p-type electrode (118), an n-type electrode (119) and a package member (120). The n-type clad layer (112) is formed on a first surface (111a) of the n-type substrate (111). The active layer (113) is formed on the n-type clad layer (112). The p-type clad layer (116) is formed on the active layer (113). The photonic crystal layer (115) is formed between the n-type clad layer (112) and the active layer (113) or between the active layer (113) and the p-type clad layer (116), and includes a photonic crystal portion (115a). The p-type electrode (118) is formed on the photonic crystal portion (115a). The n-type electrode (119) is formed on a second surface (111b), and includes a light-transmitting portion (119a) arranged on a position opposed to the photonic crystal portion (115a) and an outer peripheral portion (119b) having lower light transmittance than the light-transmitting portion (119a).
机译:光子晶体激光器(100)包括n型衬底(111),n型覆盖层(112),有源层(113),p型覆盖层(116),光子晶体层(115) ),p型电极(118),n型电极(119)和封装构件(120)。在n型衬底(111)的第一表面(111a)上形成n型覆盖层(112)。活性层(113)形成在n型覆盖层(112)上。在有源层(113)上形成有p型覆盖层(116)。光子晶体层(115)形成在n型覆盖层(112)与有源层(113)之间或有源层(113)与p型覆盖层(116)之间,并且包括光子晶体。部分(115a)。在光子晶体部分(115a)上形成p型电极(118)。 n型电极(119)形成在第二表面(111b)上,并且包括设置在与光子晶体部分(115a)相对的位置上的透光部分(119a)以及具有以下结构的外周部分(119b):透光率比透光部(119a)低。

著录项

  • 公开/公告号KR101414911B1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-07-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20097020953

  • 申请日2008-01-29

  • 分类号H01S5/042;H01S5/18;H01S5/343;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:40:35

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