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Method for formation of micro- and nano-scale patterns and method for producing micro- and nano-scale channel transistor, and micro- and nano-scale channel light emitting transistor using the same

机译:形成微米级和纳米级图案的方法以及制备微米级和纳米级沟道晶体管的方法,以及使用该方法的微米级和纳米级沟道发光晶体管

摘要

one aspect of the present invention for fine pattern formation according to the method is provided . The fine pattern forming method comprising: forming a circular or an organic -inorganic hybrid wire or wire with a cross section of an elliptical mask pattern on a substrate; Forming a material layer on the front ( ) of the organic -inorganic hybrid wire or a wire mask pattern is formed above the substrate ; And removing the organic -inorganic hybrid wire or wire mask pattern from the substrate only to remain the material layer of the organic -inorganic hybrid wire or wires of the pattern mask is not formed ; Includes . ;
机译:提供了根据该方法的用于精细图案形成的本发明的一方面。精细图案形成方法包括:在基板上形成圆形或有机-无机混合线或具有椭圆形掩模图案的横截面的线;在有机-无机杂化线的正面()上形成材料层或在衬底上方形成线掩模图案;并且从基板上去除有机-无机混合线或线掩模图案,仅保留有机-无机混合线或图案掩模的线的材料层不形成;包括。 ;

著录项

  • 公开/公告号KR101407209B1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-06-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20110100763

  • 发明设计人 김태식;민성용;이태우;

    申请日2011-10-04

  • 分类号H01L21/027;B82B3/00;H01L21/336;H01L29/78;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:40:43

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