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SEED LAYER FOR ZnO AND DOPED-ZnO THIN FILM NUCLEATION AND METHODS OF SEED LAYER DEPOSITION

机译:ZnO和掺杂的ZnO薄膜成核的种子层及种子层沉积方法

摘要

Zinc oxide layer, including pure zinc oxide and doped zinc oxide, can be deposited with preferred crystal orientation and improved electrical conductivity by employing a seed layer comprising a metallic element. By selecting metallic elements that can easily crystallized at low temperature on glass substrates, together with possessing preferred crystal orientations and sizes, zinc oxide layer with preferred crystal orientation and large grain size can be formed, leading to potential optimization of transparent conductive oxide layer stacks.
机译:通过采用包括金属元素的种子层,可以以优选的晶体取向和改善的导电性来沉积包括纯氧化锌和掺杂的氧化锌的氧化锌层。通过选择易于在低温下在玻璃基板上结晶的金属元素,并且具有优选的晶体取向和尺寸,可以形成具有优选的晶体取向和大晶粒尺寸的氧化锌层,从而导致透明导电氧化物层堆叠的潜在优化。

著录项

  • 公开/公告号WO2014028283A2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-02-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTERMOLECULAR INC;

    申请/专利号WO2013US53930

  • 申请日2013-08-07

  • 分类号C30B25/06;C30B19/00;C30B23/02;C30B25/02;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 15:51:35

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