injecting into the reaction chamber, through an ALD process, at least one silicon containing compound selected from the group consisting of:BDEAS Bis(diethylamino)silane SiH2(NEt2)2,BDMAS Bis(dimethylamino)silane SiH2(NMe2)2,BEMAS Bis(ethylmethylamino)silane SiH2(NEtMe)2,DIPAS (Di-isopropylamido)silane SiH3(NiPr2),DTBAS (Di tert-butylamido)silane SiH3(NtBu2);injecting into the reaction chamber an oxygen source selected in the list: oxygen, ozone, oxygen plasma, water, CO2 plasma, N2O plasma;and injecting on said silicon oxide film, through an ALD process, at least one aluminum containing compound selected in the list: Al(Me)3, Al(Et)3, Al(Me)2(OiPr), Al(Me)2(NMe)2 or Al(Me)2(NEt)2."/> METHOD OF DEPOSITION OF Al2O3/SiO2 STACKS, FROM ALUMINIUM AND SILICON PRECURSORS
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METHOD OF DEPOSITION OF Al2O3/SiO2 STACKS, FROM ALUMINIUM AND SILICON PRECURSORS

机译：用铝和硅前驱体沉积Al2O3 / SiO2叠层的方法

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A method of forming an Al2O3/SiO2 stack comprisinginjecting into the reaction chamber, through an ALD process, at least one silicon containing compound selected from the group consisting of:BDEAS Bis(diethylamino)silane SiH2(NEt2)2,BDMAS Bis(dimethylamino)silane SiH2(NMe2)2,BEMAS Bis(ethylmethylamino)silane SiH2(NEtMe)2,DIPAS (Di-isopropylamido)silane SiH3(NiPr2),DTBAS (Di tert-butylamido)silane SiH3(NtBu2);injecting into the reaction chamber an oxygen source selected in the list: oxygen, ozone, oxygen plasma, water, CO2 plasma, N2O plasma;and injecting on said silicon oxide film, through an ALD process, at least one aluminum containing compound selected in the list: Al(Me)3, Al(Et)3, Al(Me)2(OiPr), Al(Me)2(NMe)2 or Al(Me)2(NEt)2.
机译：形成Al 2 O 3 / SiO 2 叠层的方法包括： 通过ALD工艺注入到反应室中，至少一种选自以下的含硅化合物： BDEAS双（二乙氨基）硅烷SiH 2 （NEt 2 ） 2 ， BDMAS双（二甲基氨基）硅烷SiH 2 （NMe 2 ） 2 ， BEMAS双（乙基甲基氨基）硅烷SiH 2 （NEtMe） 2 ， DIPAS（二异丙基酰胺基）硅烷SiH 3 （NiPr 2 ）， DTBAS（二叔丁基氨基）硅烷SiH 3 （NtBu 2 ）; 注入反应在腔室上，从以下列表中选择氧气源：氧气，臭氧，氧气血浆，水，CO 2 血浆，N 2 O血浆; 并通过ALD工艺将至少一种选自以下的含铝化合物注入到所述氧化硅膜中：Al（Me） 3 ，Al（ Et） 3 ，Al（Me） 2 （OiPr），Al（Me） 2 （NMe） 2 或Al（Me） 2 （NEt） 2 。

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