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Organic transistor active substrate, organic transistor active substrate manufacturing method, and electrophoretic display using organic transistor active substrate

机译：有机晶体管有源基板，有机晶体管有源基板的制造方法以及使用该有机晶体管有源基板的电泳显示器

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摘要

PPROBLEM TO BE SOLVED: To improve the pattern formation of an organic semiconductor layer by an ink-jet method. PSOLUTION: In the organic transistor active substrate 10, a thin-film transistor is configured by forming a gate electrode 2 on a substrate 1, a gate insulating film 3 on the gate electrode 2, a source electrode 4 and drain electrode 5 on the insulating film 3, and an active layer 6 consisting of an organic semiconductor material on the source-drain electrodes 4, 5, an interlayer film 7 is deposited on the thin-film transistor, and a pixel electrode 8 is laminated which is made electroconductive with the one of the source electrode 4 and the drain electrode 5 via a through hole 9 disposed on the interlayer film 7. On the source-drain electrodes 4, 5, two different SAM forming molecular species (a first SAM forming molecular species 12, a second SAM forming molecular species 14) are formed. PCOPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

机译：

要解决的问题：通过喷墨方法改善有机半导体层的图案形成。

解决方案：在有机晶体管有源基板10中，通过在基板1上形成栅电极2，在栅电极2上形成栅绝缘膜3，源电极4和漏电极5来构造薄膜晶体管。在绝缘膜3上，以及在源-漏电极4、5上的由有机半导体材料构成的有源层6上，在薄膜晶体管上沉积层间膜7，并且层压像素电极8，制成通过设置在中间膜7上的通孔9与源电极4和漏电极5中的一个导电。在源漏电极4、5上，两个不同的SAM形成分子种类（第一SAM形成分子种类12形成第二SAM形成分子物质14）。

版权：（C）2010，日本特许厅＆INPIT 展开▼

著录项

公开/公告号JP5481893B2

专利类型
公开/公告日2014-04-23

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社リコー;
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申请/专利号JP20090065634
发明设计人水上智;
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申请日2009-03-18
分类号H01L29/786;H01L21/336;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40;G02F1/167;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 16:11:54

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