首页> 外国专利> This application claims the benefit of US Provisional Patent Application No. 61 / 414,588, filed Nov. 17, 2010, all of which relates to DC ion implantation for solid phase epitaxial regrowth in solar cell manufacturing. Is incorporated herein by reference.

This application claims the benefit of US Provisional Patent Application No. 61 / 414,588, filed Nov. 17, 2010, all of which relates to DC ion implantation for solid phase epitaxial regrowth in solar cell manufacturing. Is incorporated herein by reference.

机译：本申请要求2010年11月17日提交的美国临时专利申请No.61 / 414,588的权益，其全部涉及用于太阳能电池制造中的固相外延再生的DC离子注入。通过引用并入本文。

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摘要

An apparatus and methods for ion implantation of solar cells. The disclosure provide enhanced throughput and recued or elimination of defects after SPER anneal step. The substrate is continually implanted using continuous high dose-rate implantation, leading to efficient defect accumulation, i.e., amorphization, while suppressing dynamic self-annealing.

机译：一种用于太阳能电池的离子注入的设备和方法。在SPER退火步骤之后，本发明提供了提高的生产能力并消除或消除了缺陷。使用连续的高剂量率注入来连续注入衬底，从而导致有效的缺陷积累，即非晶化，同时抑制动态自退火。

著录项

公开/公告号JP2014502048A

专利类型
公开/公告日2014-01-23

原文格式PDF
申请/专利权人インテヴァックインコーポレイテッド;
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申请/专利号JP20130540035
发明设计人チュン、ムーン;アディビ、ババック;
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申请日2011-11-17
分类号H01L21/265;H01L31/06;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 16:14:32

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