机译:用于能够通过形成离子注入域,用于此的反向投影型CMOS图像传感器和制造方法在子阵列中分离光电接收器的多孔径图像传感器的光电检测器,以及制造方法
公开/公告号KR20130015080A
专利类型
公开/公告日2013-02-13
原文格式PDF
申请/专利权人 DONGBU HITEK CO. LTD.;
申请/专利号KR20110076901
发明设计人 KIM HO SOO;
申请日2011-08-02
分类号G01S17/08;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 16:27:44