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TDDB TEST STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND TDDB TESTING METHOD CAPABLE OF APPLYING A MEASUREMENT VOLTAGE TO A FIRST TEST CELL AND A SECOND TEST CELL WITHOUT INTERFERENCE

机译:半导体设备的TDDB测试结构和能够将测量电压无干扰地应用于第一测试电池和第二测试电池的TDDB测试方法

摘要

PURPOSE: A TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown) test structure of a semiconductor device and a TDDB testing method are provided to shorten the measurement time of a TDDB test by measuring a plurality of test cells including a test pattern.;CONSTITUTION: A first test cell(1) and a second test cell(3) are arranged on a substrate(10). The first test cell includes a first test pattern(23). The first test pattern includes a first dielectric layer(20a) and a first gate electrode(22a). A second test cell includes a second test pattern(25). The second test pattern includes a second dielectric layer(20b) and a gate electrode(22b).;COPYRIGHT KIPO 2012
机译:目的:提供一种半导体器件的TDDB(时变介电击穿)测试结构和TDDB测试方法,以通过测量包括测试图案的多个测试单元来缩短TDDB测试的测量时间。组成:第一次测试单元(1)和第二测试单元(3)布置在基板(10)上。第一测试单元包括第一测试图案(23)。第一测试图案包括第一介电层(20a)和第一栅电极(22a)。第二测试单元包括第二测试图案(25)。第二测试图案包括第二介电层(20b)和栅电极(22b)。; COPYRIGHT KIPO 2012

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