首页> 外国专利> METHOD FOR MANUFACTURING MICROCRYSTALLINE SILICON FILM, MICROCRYSTALLINE SILICON FILM, ELECTRIC ELEMENT, AND DISPLAY DEVICE

METHOD FOR MANUFACTURING MICROCRYSTALLINE SILICON FILM, MICROCRYSTALLINE SILICON FILM, ELECTRIC ELEMENT, AND DISPLAY DEVICE

机译:制造微晶硅膜,微晶硅膜,电子元件和显示装置的方法

摘要

Disclosed is a method for manufacturing a crystalline silicon film, which is provided with: a step of preparing a substrate (1) having the main surface; a step of forming an amorphous film (2) on the main surface; and a step of exposing, in an atmosphere having no electrical field applied thereto, the substrate having the amorphous film (2) formed thereon to a gas atmosphere of a first silicon compound containing silicon element and hydrogen element as main components.
机译:公开了一种用于制造结晶硅膜的方法,该方法包括:准备具有主表面的基板(1)的步骤;在主表面上形成非晶膜(2)的步骤;在不施加电场的气氛中,将形成有非晶膜(2)的基板暴露于以硅元素和氢元素为主成分的第一硅化合物的气体气氛中。

著录项

  • 公开/公告号WO2012090819A1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-07-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SHARP KABUSHIKI KAISHA;

    申请/专利号WO2011JP79642

  • 发明设计人 宮崎篤;

    申请日2011-12-21

  • 分类号H01L21/205;B82Y40;H01L21/336;H01L29/786;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 17:14:58

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号