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机译:具有一种或多种基于和一种或多种吸气剂的gasoverv u00e6g及其使用方法
公开/公告号DK1766384T3
专利类型
公开/公告日2011-12-05
原文格式PDF
申请/专利权人 MST TECHNOLOGY GMBH;
申请/专利号DK20050758032T
发明设计人 STROMEREDER STEFAN;KOLLER PETER;
申请日2005-06-29
分类号G01N33/00;
国家 DK
入库时间 2022-08-21 17:25:11
机译: 吸气构件,吸气构件的形成方法以及使用吸气构件的浸入光刻工艺的方法
机译: 吸气构件,吸气构件的形成方法以及使用吸气构件的浸没光刻工艺的方法
机译: 外延硅晶片的杂质扩散行为的估计方法,吸杂能力的估计方法,吸杂能力的调整方法和制造方法