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Production manner of the CeO2 thin film and production device null of the CeO2

机译：CeO2薄膜的生产方式及CeO2的生产装置

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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a CeO₂ thin film, capable of securing excellent orientation and surface smoothness and increasing deposition rate, the CeO₂ thin film, and an apparatus for forming the CeO₂ thin film.;SOLUTION: The method for forming the CeO₂ thin film comprises: a substrate preparation step of preparing an oriented metal substrate; and a deposition step of forming the CeO₂ thin film on the oriented metal substrate. Here, the deposition rate of the CeO₂ thin film in the deposition step is ≥30 nm/min, and the temperature of the oriented metal substrate in the deposition step is 750-1,100°C.;COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

机译：要解决的问题：提供一种形成CeO _{2 薄膜的方法，该方法能够确保出色的取向和表面光滑度并提高沉积速率，解决方案：形成CeO _{2 薄膜的方法包括：制备取向金属衬底的衬底制备步骤;以及形成取向的金属衬底的衬底制备步骤。在取向金属基板上形成CeO _{2 薄膜的沉积步骤。在此，在沉积步骤中的CeO _{2 薄膜的沉积速率为＆reg; 30nm / min，并且在沉积步骤中的取向金属基板的温度为750-1,100℃。 ;版权：（C）2009，日本特许厅＆INPIT}}}}

著录项

公开/公告号JP5009187B2

专利类型
公开/公告日2012-08-22

原文格式PDF
申请/专利权人住友電気工業株式会社;公益財団法人国際超電導産業技術研究センター;
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申请/专利号JP20080033463
发明设计人長谷川勝哉;母倉修司;上山宗譜;大松一也;
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申请日2008-02-14
分类号C30B29/16;C23C14/08;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 17:39:15

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