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机译：GaN基半导体激光器的制造方法和GaN基半导体激光器
公开/公告号JP2012015556A5
专利类型
公开/公告日2012-05-24
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号JP2011228095
发明设计人
申请日0000-00-00
分类号H01L33/32;H01S5/343;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 17:44:04
机译： 外延生长衬底，GaN基半导体层的制造方法，GaN基半导体层，发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译： 制造p型GaN基复合半导体的方法，激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法，GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译： 制造p型基于gan的复合半导体的方法，激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法，基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
