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Method for growth of GaN single crystal, method for preparation of GaN substrate, process for producing GaN-based element, and GaN-based element

机译：GaN单晶的生长方法，GaN衬底的制备方法，GaN基元件的制造方法和GaN基元件

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A GaN-based thin film (thick film) is grown using a metal buffer layer grown on a substrate. (a) A metal buffer layer (210) made of, for example, Cr or Cu is vapor-deposited on a sapphire substrate (120). (b) A substrate obtained by vapor-depositing the metal buffer layer (210) on the sapphire substrate (120) is nitrided in an ammonia gas ambient, thereby forming a metal nitride layer (212). (c) A GaN buffer layer (222) is grown on the nitrided metal buffer layers (210, 212). (d) Finally, a GaN single-crystal layer (220) is grown. This GaN single-crystal layer (220) can be grown to have various thicknesses depending on the objects. A freestanding substrate can be fabricated by selective chemical etching of the substrate fabricated by the above steps. It is also possible to use the substrate fabricated by the above steps as a GaN template substrate for fabricating a GaN-based light emitting diode or laser diode.
机译：使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN基薄膜（厚膜）。 （a）将例如由Cr或Cu制成的金属缓冲层（210）气相沉积在蓝宝石衬底（120）上。 （b）在氨气环境中氮化通过将金属缓冲层（210）气相沉积在蓝宝石衬底（120）上而获得的衬底，从而形成金属氮化物层（212）。 （c）在氮化金属缓冲层（210、212）上生长GaN缓冲层（222）。 （d）最后，生长GaN单晶层（220）。该GaN单晶层（220）可以根据目的而生长为具有各种厚度。可以通过选择性地化学蚀刻通过上述步骤制造的基板来制造独立式基板。也可以将通过上述步骤制造的基板用作用于制造GaN基发光二极管或激光二极管的GaN模板基板。

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