机译:发光二极管及其制造方法,集成的发光二极管及其制造方法,生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法,用于生长基于氮化物的III-V族化合物,半导体的材料源电池单元,发光二极管背光源,发光二极管照明装置,发光二极管显示器和电子仪器,电子装置及其制造方法
公开/公告号US2011212559A1
专利类型
公开/公告日2011-09-01
原文格式PDF
申请/专利权人 AKIRA OHMAE;MICHINORI SHIOMI;NORIYUKI FUTAGAWA;TAKAAKI AMI;TAKAO MIYAJIMA;YUUJI HIRAMATSU;IZUHO HATADA;NOBUTAKA OKANO;SHIGETAKA TOMIYA;KATSUNORI YANASHIMA;TOMONORI HINO;HIRONOBU NARUI;
申请/专利号US201113102404
发明设计人 AKIRA OHMAE;MICHINORI SHIOMI;NORIYUKI FUTAGAWA;TAKAAKI AMI;TAKAO MIYAJIMA;YUUJI HIRAMATSU;IZUHO HATADA;NOBUTAKA OKANO;SHIGETAKA TOMIYA;KATSUNORI YANASHIMA;TOMONORI HINO;HIRONOBU NARUI;
申请日2011-05-06
分类号H01L33/32;
国家 US
入库时间 2022-08-21 18:13:39