首页> 外国专利> SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR MINIMIZING AN OCCUPIED AREA AND LENGTH OF A GLOBAL INPUT/OUTPUT LINE BY INCLUDING ONE GLOBAL INPUT/OUTPUT LINE CORRESPONDING TO A STACKED BANK

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR MINIMIZING AN OCCUPIED AREA AND LENGTH OF A GLOBAL INPUT/OUTPUT LINE BY INCLUDING ONE GLOBAL INPUT/OUTPUT LINE CORRESPONDING TO A STACKED BANK

机译:通过将一条对应于堆叠银行的全局输入/输出线包括在内,最小化全局输入/输出线的占用面积和长度的半导体存储器

摘要

PURPOSE: A semiconductor memory device is provided to improve a data transfer rate corresponding to each bank by reducing loading of a global input/output line.;CONSTITUTION: First and second banks(410_1,410_2) are stacked in a first direction. A plurality of first local data lines(L101) transfers input/output data of the first bank. The first local data line is arranged across the second bank. A second local data line(L102) transfers input/output data of the second bank. A global data line is arranged in a second direction orthogonal to the first direction. A data exchange unit is arranged between the second bank and the global data line. The data exchange unit controls data exchange between the first and second local data lines and the global data line.;COPYRIGHT KIPO 2010
机译:目的:提供一种半导体存储器件,以通过减少全局输入/输出线的负载来提高与每个存储体相对应的数据传输速率。组成:第一存储体和第二存储体(410_1,410_2)沿第一方向堆叠。多条第一本地数据线(L101)传输第一存储体的输入/输出数据。第一本地数据线跨第二存储体布置。第二本地数据线(L102)传输第二存储体的输入/输出数据。全局数据线沿与第一方向正交的第二方向布置。数据交换单元布置在第二存储体和全局数据线之间。数据交换单元控制第一和第二本地数据线与全局数据线之间的数据交换。; COPYRIGHT KIPO 2010

著录项

  • 公开/公告号KR100929826B1

    专利类型

  • 公开/公告日2009-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20080052770

  • 发明设计人 LEE JEE EUN;KIM DONG KEUN;

    申请日2008-06-04

  • 分类号G11C11/4093;G11C11/4096;G11C7/10;G11C8/12;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 18:33:41

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号