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COBALT COMPLEX CONTAINING amp;beta;-DIKETONATO GROUP AS LIGAND AND METHOD FOR PRODUCING COBALT-CONTAINING THIN FILM USING THE SAME

机译：含β-二酮基钴配合物的配体和使用该配合物生产含钴薄膜的方法

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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cobalt complex suitable for forming a metal thin film by a CVD method, and a method for producing a cobalt-containing thin film using the same.;SOLUTION: The cobalt complex contains a β-diketonato group represented by general formula (I) (wherein X is a group represented by general formula (II)) as a ligand.;COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

机译：解决的问题：提供一种适用于通过CVD方法形成金属薄膜的钴配合物，以及使用该配合物制备含钴薄膜的方法。解决方案：所述钴配合物包含β-二酮基。通式（I）表示的基团（其中X是通式（II）表示的基团）作为配体。COPYRIGHT：（C）2011，JPO＆INPIT

著录项

公开/公告号JP2010229112A

专利类型
公开/公告日2010-10-14

原文格式PDF
申请/专利权人 UBE IND LTD;
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申请/专利号JP20090080801
发明设计人 HASEGAWA CHIHIRO;TSUNODA KO;NIHEI O;
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申请日2009-03-30
分类号C07F7/18;C07F15/06;C07F19/00;C23C16/18;H01L21/28;H01L21/285;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 19:06:25

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