首页> 外国专利> For the production of thin films, it includes providing a substrate, putting the first layer on top, putting the second layer including Sn and / or Zn oxidant on a part of the first layer, and improving the conductivity of the second layer in the presence of the high temperature oxidant.

For the production of thin films, it includes providing a substrate, putting the first layer on top, putting the second layer including Sn and / or Zn oxidant on a part of the first layer, and improving the conductivity of the second layer in the presence of the high temperature oxidant.

机译：对于薄膜的生产，它包括提供基板，将第一层放在顶部，将包含Sn和/或Zn氧化剂的第二层放在第一层的一部分上以及在存在的情况下提高第二层的导电性高温氧化剂。

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摘要

Method for Manufacturing Thin Film comprising substrate Supply, deposition Layer on the substrate, deposition in the presence of oxidizing agent at high T,Second Layer on the oxide Layer comprising SN or Zn cooled at non oxidizing atmosphere or reducing atmosphere; Film; and Photovoltaic device.

机译：用于制造薄膜的方法，包括：在衬底上供应衬底;在衬底上沉积层;在氧化剂的存在下在高T下沉积;第二层在包含在非氧化性气氛或还原性气氛下冷却的SN或Zn的氧化物层上;电影;和光伏设备。

著录项

公开/公告号CL2008003281A1

专利类型
公开/公告日2009-10-16

原文格式PDF
申请/专利权人 AGC FLAT GLASS NORTH AMERICA INC.;
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申请/专利号CL20080003281
发明设计人 CORDING CHRISTOPHER R.;MASUMO KUNIO;AGUSTSSON SVEINN OTTO.;
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申请日2008-11-03
分类号B32B31/00;B32B33/00;C03C17/34;C23C14/08;C23C14/58;H01L31/18;
国家 CL
入库时间 2022-08-21 19:28:21

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