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Multilayer thin film microstructure and nanostructure forming method for photonics field, involves implanting ionic elements on active layers across resist to modify properties of layers to obtain structure with controlled properties

机译：用于光子学领域的多层薄膜微结构和纳米结构形成方法，涉及在抗蚀剂上的有源层上注入离子元素，以改变层的性能以获得具有受控性能的结构。

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摘要

The method involves depositing a elementary active layer (A) on a substrate (S), and depositing another elementary active layer (B) on the former elementary active layer. Ionic elements are implanted on the elementary active layers across a resist by a plasma immersion technique to modify properties of respective layers for obtaining a multilayer structure with controlled properties, where the resist is a monolayer or multilayer photosensitive mask (M).

机译：该方法包括在基板（S）上沉积基本活性层（A），以及在先前的基本活性层上沉积另一基本活性层（B）。通过等离子体浸没技术，将离子元素跨过抗蚀剂注入到基本活性层上，以修改各个层的性能，以获得具有可控性能的多层结构，其中抗蚀剂是单层或多层光敏掩模（M）。

著录项

公开/公告号FR2899377A1

专利类型
公开/公告日2007-10-05

原文格式PDF
申请/专利权人 CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE ETABLISSEMENT PUBLIC A CARACTERE SCIENTIFIQUE ET TECHNOLOGIQUE;UNIVERSITE JOSEPH FOURIER;
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申请/专利号FR20060002787
发明设计人 FRUCHART DANIEL;VEMPAIRE DAVID JEAN MAURICE;PELLETIER JACQUES HENRI LUCIEN;MIRAGLIA SALVATORE;
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申请日2006-03-30
分类号H01L21/265;H01L29/36;
国家 FR
入库时间 2022-08-21 20:26:45

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