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EMBEDDED ETCH STOP FOR PHASE SHIFT MASK AND PLANAR PHASE SHIFT MASK TO REDUCE TOPOGRAPHY INDUCED AND WAVEGUIDE EFFECT

机译：嵌入式蚀刻停止用于相移掩模和平面相移掩模，以减少引起的层析成像和波导管效应

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摘要

PPROBLEM TO BE SOLVED: To provide an etching mask for engraving a substrate to generate phase difference in the manufacture of a phase shift mask. PSOLUTION: The etching mask 300 for forming a phase difference comprises a glass or quartz layer 310, an etch stop layer 380, a polymer layer 330 and a hard mask 320. After a resist process is carried out, the hard mask 320 is patterned; the polymer layer 330 is etched, and then the etch stop layer 380 is removed. By using the etching mask to etch the glass or quartz layer 310, a phase difference by 180 is generated. PCOPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

机译：

要解决的问题：提供一种蚀刻掩模，用于在相移掩模的制造中雕刻衬底以产生相差。

解决方案：用于形成相差的蚀刻掩模300包括玻璃或石英层310，蚀刻停止层380，聚合物层330和硬掩模320。在执行抗蚀剂工艺之后，硬掩模320图案化蚀刻聚合物层330，然后去除蚀刻停止层380。通过使用蚀刻掩模蚀刻玻璃或石英层310，产生了180°的相位差。

版权：（C）2007，日本特许厅＆INPIT 展开▼

著录项

公开/公告号JP2007128115A

专利类型
公开/公告日2007-05-24

原文格式PDF
申请/专利权人 ASML NETHERLANDS BV;
展开▼

申请/专利号JP20070039089
发明设计人 CUMMINGS KEVIN;
展开▼

申请日2007-02-20
分类号G03F1/08;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:13:22

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