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THE LATERAL GROWTH METHOD OF ZNO NANOWIRES THROUGH THE PATTERNING OF CATALYST

机译：ZNO纳米线通过催化剂构型的横向生长方法

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The present invention relates to a method of forming a catalyst in a desired pattern and to lateral growth of ZnO nanowires by patterning the catalyst for selectively growing the semiconductor nanowires at a specific position. 1) forming a catalyst metal layer by laminating a catalyst metal on the electrically insulated substrate using a lithography process and then laminating the catalyst metal; (2) forming a growth inhibitory layer after patterning on the catalyst metal layer by using a lithography process; And (3) lateral growth of the nanowires using the Thermal CVD method between the catalyst metal layers.;ZnO, nanowires, lateral growth

机译：本发明涉及一种以期望的图案形成催化剂的方法，并且涉及通过对催化剂进行图案化以在特定位置选择性地生长半导体纳米线的方式生长ZnO纳米线的横向生长。 1）通过使用光刻工艺在电绝缘基板上层压催化剂金属，然后层压催化剂金属，形成催化剂金属层; （2）通过光刻工艺在催化剂金属层上构图后形成生长抑制层;以及（3）在催化剂金属层之间使用热CVD方法横向生长纳米线; ZnO，纳米线横向生长

著录项

公开/公告号KR100593835B1

专利类型
公开/公告日2006-06-20

原文格式PDF
申请/专利权人 KOREA CHUNGANG EDUCATIONAL FOUNDATION;
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申请/专利号KR20040115470
发明设计人 KIM SANG SIG;KEEM KI HYUN;
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申请日2004-12-29
分类号H01L21/205;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 21:23:34

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