首页> 外国专利> Method for forming Josephson junction, Josephson junction and apparatus using Josephson junction

Method for forming Josephson junction, Josephson junction and apparatus using Josephson junction

机译：形成约瑟夫森结的方法，约瑟夫森结和使用约瑟夫森结的装置

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

A Josephson junction has a Si substrate (1), a two layer film comprising an amorphous MgO layer (2) and a high orientation MgO layer (3) on the Si substrate, and a NbN film or the NbCN film (7) laminated on the two layer film.

机译：约瑟夫森结具有Si衬底（1），在Si衬底上包括非晶MgO层（2）和高取向MgO层（3）的两层膜以及在其上层压的NbN膜或NbCN膜（7）两层膜。

著录项

公开/公告号EP1396893A3

专利类型
公开/公告日2006-01-18

原文格式PDF
申请/专利权人 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY;
展开▼

申请/专利号EP20030255199
发明设计人 YAMAMORI HIROTAKEC/O NAT. INST. OF ADV. SC. TE;SHOJI AKIRAC/O NAT. INST. OF ADV. SC. TECH.;
展开▼

申请日2003-08-21
分类号H01L39/22;H01L39/24;H03K19/195;H03M1/00;G01R35/00;H03B15/00;G01R33/035;
国家 EP
入库时间 2022-08-21 21:30:35

相似文献

专利
外文文献
中文文献