要解决的问题:提供一种容易地确定用于制造产品的制造设备(例如半导体集成电路,薄膜磁头,光学设备等)如何影响次品的方法。解决方案:检查数据分析程序由用于执行特定制造设备的设备QC的结果的,用于执行在主存储设备中调用第一检查数据的处理的程序组成;基于作为制造装置的装置QC的执行结果的第二检查数据和制造装置的电测试数据,基于与每个缺陷尺寸计算出的污染物数量相对应的主存储装置中的缺陷数量变化。在包括进行第二次检查的时间点的期限内通过制造设备加工的产品;并且获得在制造设备上产生的污染物对产品产生影响的程度的影响程度,在该时刻,通过使用对应于缺陷的缺陷数量的变化来检测第一检验数据。计算出的污染物数量,以及从每种缺陷尺寸的第一检验数据获得的污染物数量。这些程序可以通过算术单元执行。
版权:(C)2005,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2005044840A
专利类型
公开/公告日2005-02-17
原文格式PDF
申请/专利权人 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORP;
申请/专利号JP20030200189
申请日2003-07-23
分类号H01L21/02;H01L21/66;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 22:32:37