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Mask product made by selection of evaluation point locations based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects in a fabricat layout

机译:通过基于接近效应模型幅度选择评估点位置来制造掩膜产品,以校正结构布局中的接近效应

摘要

Techniques provided for fabricating a device include forming a fabrication layout, such as a mask layout, for a physical design layer, such as a design for an integrated circuit, and identifying evaluation points on an edge of a polygon corresponding to the design layer for correcting proximity effects. Included are techniques that correct for proximity effects associated with an edge in a layout corresponding to the design layer.
机译:提供用于制造器件的技术包括形成用于物理设计层(例如用于集成电路的设计)的制造布局(例如掩模布局),以及在与设计层相对应的多边形的边缘上识别评估点以进行校正。邻近效应。包括校正与设计层相对应的布局中的边缘相关联的邻近效应的技术。

著录项

  • 公开/公告号US6777138B2

    专利类型

  • 公开/公告日2004-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NUMERICAL TECHNOLOGIES INC.;

    申请/专利号US20020099279

  • 发明设计人 YOUPING ZHANG;CHRISTOPHE PIERRAT;

    申请日2002-03-15

  • 分类号G03F90/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 23:20:15

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